■ Memoria
Internal memory → 4 GB
Tipo de memoria interna → DDR3
Velocidad de memoria del reloj → 1600 MHz
Componente para → Cuaderno
ECC → No
Memory layout → 1 x 4 GB
Forma de factor de memoria → 204-pin SO-DIMM
Latencia CAS → 11
Registrado → No
Ancho de datos → 64 Bit
Placa de plomo → Oro
Configuración de módulos → 512M X 64
Tiempo de ciclo de fila → 48.125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila → 260 ns
Tiempo activo en fila → 35 ns
Tipo de embalaje → SO-DIMM
Memoria sin buffer → Si
Clasificación de memoria → 1
■ Detalles técnicos
Organización de los chips → X8
Velocidad del reloj de bus → 1600 MHz
Garantía → 204-pin SODIMM
■ Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa → 0 - 85 C
Intervalo de temperatura de almacenaje → -55 - 100 C